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動(dòng)態(tài) | 奧趨光電將應(yīng)邀出席第四屆紫外LED會(huì)議
2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會(huì)議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)將在山西長治濱湖文旅服務(wù)中心舉辦。本屆會(huì)議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領(lǐng)域...
動(dòng)態(tài) | 第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議圓滿落幕，奧趨光電AlN單晶優(yōu)惠持續(xù)進(jìn)行中
7月9日，第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企...
動(dòng)態(tài) | 奧趨光電亮相第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議，AlN單晶優(yōu)惠火熱進(jìn)行中
第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮...
邀請 | 助力第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議，AlN單晶優(yōu)惠搶先開啟
2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單...
動(dòng)態(tài) | “新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)中期檢查會(huì)議在杭召開
6月25-26日，“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度第三代半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)方向19個(gè)項(xiàng)目中期檢查會(huì)議在杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯...
2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會(huì)議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)將在山西長治濱湖文旅服務(wù)中心舉辦。本屆會(huì)議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領(lǐng)域的專家、知名企業(yè)代表組成的百人嘉賓團(tuán)，將共同探討“紫外LED+”新機(jī)遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會(huì)，現(xiàn)場設(shè)展向與會(huì)嘉賓匯報(bào)展示了面向紫外光電器件、功率電子器件、微波...
第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會(huì)，向與會(huì)嘉賓匯報(bào)展示面向紫外光電器件、功率電子器件、微波射頻器件等應(yīng)用...
2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)，受組委會(huì)邀請將出席本次會(huì)議并發(fā)表主...
6月25-26日，“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度第三代半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)方向19個(gè)項(xiàng)目中期檢查會(huì)議在杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目（編號(hào)2022YFB3605300，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人北京...
2024年7月2日至4日，2024第三屆射頻濾波器創(chuàng)新技術(shù)大會(huì)將在安徽合肥召開。本次大會(huì)以“寬帶·共存”為主題，邀請了射頻濾波材料、器件、芯片及相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的資深專家學(xué)者、頭部企業(yè)代表共聚一堂，圍繞5G、6G和Wi-Fi 7等高頻、大帶寬濾波器技術(shù)，共同探討關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、器件設(shè)計(jì)、...
GaN的寬帶隙特性和高飽和速度對(duì)于提升射頻（RF）晶體管的輸出功率密度（Pout）至關(guān)重要，這使得雷達(dá)和通信系統(tǒng)的覆蓋范圍得以增加。然而，目前GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）的輸出功率密度進(jìn)一步提高受到熱限制，主要因?yàn)樵谄骷系缹舆\(yùn)行時(shí)產(chǎn)生過多無效的熱量。
使用這些晶圓制備的首批晶體管已經(jīng)顯示出極具前景的電氣性能，例如高達(dá)2200 V的擊穿電壓和優(yōu)于SiC基/GaN基的功率開關(guān)器件的功率密度。與現(xiàn)有的硅器件相比，在AlN晶圓上成功制備出的AlN/GaN HEMTs，其傳導(dǎo)損耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶體管大約高出十倍。這些研究突...
為了提高量子阱高電子遷移率晶體管（QW HEMTs）中的電子遷移率，我們研究了在Al極性單晶AlN襯底上的AlN/GaN/AlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)特性。理論建模與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合表明，量子阱中高電場引起的界面粗糙度散射限制了遷移率。將量子阱寬度增加到其松弛形態(tài)可以減小內(nèi)部電場和散射，從而...
本文展示了采用等離子輔助分子束外延（PAMBE）技術(shù)實(shí)現(xiàn)了N極性AlN單晶襯底上同質(zhì)外延生長AlN薄膜中的可控Si摻雜。通過優(yōu)化生長條件，我們在950℃下獲得了高質(zhì)量的N極性AlN薄膜。然而，我們的研究揭示，在這樣的高溫生長環(huán)境下，Si的摻入量會(huì)顯著降低。為了實(shí)現(xiàn)更高的Si摻入量...
在過去的十年中，半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的新聞之一就是傳統(tǒng)硅的意外被超越——在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已經(jīng)超越了硅，占據(jù)了數(shù)十億美元的市場份額。隨著這些具有優(yōu)越性能的新秀逐漸占據(jù)主要應(yīng)用領(lǐng)域，人們自然會(huì)提出一個(gè)問題：下一代新的功率半導(dǎo)體會(huì)是什么——哪一種半導(dǎo)體將憑借...
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功實(shí)現(xiàn)了直徑為100 mm的單晶氮化鋁（AlN）襯底的批量生產(chǎn)，這些襯底的可用面積達(dá)到99%，以滿足當(dāng)前UVC LED的需求，生產(chǎn)將在美國進(jìn)行。AlN的超寬帶隙和高熱導(dǎo)率不僅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，還有助于提高下...