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                旗艦產(chǎn)品
                
	

                


                

	
                
	
                

    
                
  
                

                

                
  
                
    
                
      
                
		
                
		
                
	
                
  
                新聞資訊
                

      
                
      
                
        
                
                              
                
            
                
              
              
                
                
                動態(tài) | 中國科學(xué)院院士祝世寧教授等來訪奧趨光電
                
                                                
                8月28日，《人工晶體學(xué)報(bào)》主編、中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)學(xué)術(shù)委員會副主任祝世寧教授，《人工晶體學(xué)報(bào)》執(zhí)行主編彭珍珍，《人工晶體學(xué)報(bào)》編委、南京大學(xué)趙剛教授等一行來訪奧趨光電?！度斯ぞw學(xué)報(bào)》編委、奧...
                

                
                
              
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
              
                
                
                動態(tài) | 奧趨光電將應(yīng)邀出席第四屆紫外LED會議
                
                                                
                2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會將在山西長治濱湖文旅服務(wù)中心舉辦。本屆會議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領(lǐng)域...
                

                
                
              
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
              
                
                
                動態(tài) | 第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議圓滿落幕，奧趨光電AlN單晶優(yōu)惠持續(xù)進(jìn)行中
                
                                                
                7月9日，第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企...
                

                
                
              
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
              
                
                
                動態(tài) | 奧趨光電亮相第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議，AlN單晶優(yōu)惠火熱進(jìn)行中
                
                                                
                第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮...
                

                
                
              
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
              
                
                
                邀請 | 助力第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議，AlN單晶優(yōu)惠搶先開啟
                
                                                
                2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單...
                

                
                
              
                
            
                
          
                
                  
                
      
                
      
                
        
                
        
                
      
                
    
                
  
    
                
    
    
                
              
                
                              
                
            
                
              
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                8月28日，《人工晶體學(xué)報(bào)》主編、中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)學(xué)術(shù)委員會副主任祝世寧教授，《人工晶體學(xué)報(bào)》執(zhí)行主編彭珍珍，《人工晶體學(xué)報(bào)》編委、南京大學(xué)趙剛教授等一行來訪奧趨光電。《人工晶體學(xué)報(bào)》編委、奧趨光電首席執(zhí)行官吳亮博士、研發(fā)總監(jiān)王琦琨博士、綜合管理部總經(jīng)理陳鵬等進(jìn)行了熱情接...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會將在山西長治濱湖文旅服務(wù)中心舉辦。本屆會議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領(lǐng)域的專家、知名企業(yè)代表組成的百人嘉賓團(tuán)，將共同探討“紫外LED+”新機(jī)遇，挖掘紫外...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                7月9日，第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會，現(xiàn)場設(shè)展向與會嘉賓匯報(bào)展示了面向紫外光電器件、功率電子器件、微波...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)亮相本屆大會，向與會嘉賓匯報(bào)展示面向紫外光電器件、功率電子器件、微波射頻器件等應(yīng)用...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                2024年7月7-10日，由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)主辦的第十八屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領(lǐng)軍企業(yè)，受組委會邀請將出席本次會議并發(fā)表主...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                6月25-26日，“十四五”國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)2024年度第三代半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)方向19個(gè)項(xiàng)目中期檢查會議在杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目（編號2022YFB3605300，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人北京...
                
            
                
          
                
                    
        
                
              
                
                              
                
            
                
              
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                超寬帶隙氮化鋁（AlN）作為高功率電子器件的高吸引力材料脫穎而出。然而，AlN功率器件由于接觸電阻率超過10-1 Ω cm2而面臨性能挑戰(zhàn)。在本工作中，我們展示了通過直接應(yīng)用于n型AlN的精細(xì)金屬化工藝，實(shí)現(xiàn)了10-4 Ω cm2級別的低接觸電阻率。最小的接觸電阻率達(dá)到5.82 ...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                GaN的寬帶隙特性和高飽和速度對于提升射頻（RF）晶體管的輸出功率密度（Pout）至關(guān)重要，這使得雷達(dá)和通信系統(tǒng)的覆蓋范圍得以增加。然而，目前GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）的輸出功率密度進(jìn)一步提高受到熱限制，主要因?yàn)樵谄骷系缹舆\(yùn)行時(shí)產(chǎn)生過多無效的熱量。
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                使用這些晶圓制備的首批晶體管已經(jīng)顯示出極具前景的電氣性能，例如高達(dá)2200 V的擊穿電壓和優(yōu)于SiC基/GaN基的功率開關(guān)器件的功率密度。與現(xiàn)有的硅器件相比，在AlN晶圓上成功制備出的AlN/GaN HEMTs，其傳導(dǎo)損耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶體管大約高出十倍。這些研究突...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                為了提高量子阱高電子遷移率晶體管（QW HEMTs）中的電子遷移率，我們研究了在Al極性單晶AlN襯底上的AlN/GaN/AlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)特性。理論建模與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合表明，量子阱中高電場引起的界面粗糙度散射限制了遷移率。將量子阱寬度增加到其松弛形態(tài)可以減小內(nèi)部電場和散射，從而...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                本文展示了采用等離子輔助分子束外延（PAMBE）技術(shù)實(shí)現(xiàn)了N極性AlN單晶襯底上同質(zhì)外延生長AlN薄膜中的可控Si摻雜。通過優(yōu)化生長條件，我們在950℃下獲得了高質(zhì)量的N極性AlN薄膜。然而，我們的研究揭示，在這樣的高溫生長環(huán)境下，Si的摻入量會顯著降低。為了實(shí)現(xiàn)更高的Si摻入量...
                
            
                
          
                
                              
                
            
                
              
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                在過去的十年中，半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的新聞之一就是傳統(tǒng)硅的意外被超越——在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已經(jīng)超越了硅，占據(jù)了數(shù)十億美元的市場份額。隨著這些具有優(yōu)越性能的新秀逐漸占據(jù)主要應(yīng)用領(lǐng)域，人們自然會提出一個(gè)問題：下一代新的功率半導(dǎo)體會是什么——哪一種半導(dǎo)體將憑借...
                
            
                
          
                
                    
        
                
          
                
  
                
  
  
  
                




                

	
                
	
                

    
                
  
                

                

      
  
  
  
  
                
    
  
                





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