8月28日，《人工晶體學報》主編、中國科學院院士、南京大學學術(shù)委員會副主任祝世寧教授，《人工晶體學報》執(zhí)行主編彭珍珍，《人工晶體學報》編委、南京大學趙剛教授等一行來訪奧趨光電?！度斯ぞw學報》編委、奧...
2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會將在山西長治濱湖文旅服務中心舉辦。本屆會議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領域...
7月9日，第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領軍企...
第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領軍企業(yè)亮...
2024年7月7-10日，由中國科學技術(shù)大學主辦的第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單...
8月28日，《人工晶體學報》主編、中國科學院院士、南京大學學術(shù)委員會副主任祝世寧教授，《人工晶體學報》執(zhí)行主編彭珍珍，《人工晶體學報》編委、南京大學趙剛教授等一行來訪奧趨光電?！度斯ぞw學報》編委、奧趨光電首席執(zhí)行官吳亮博士、研發(fā)總監(jiān)王琦琨博士、綜合管理部總經(jīng)理陳鵬等進行了熱情接...
2024年8月21日至23日，第四屆紫外LED會議暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會將在山西長治濱湖文旅服務中心舉辦。本屆會議以“創(chuàng)新發(fā)展跨界共生，成果轉(zhuǎn)化生態(tài)構(gòu)建”為主題，邀請了來自紫外LED全產(chǎn)業(yè)鏈、多領域的專家、知名企業(yè)代表組成的百人嘉賓團，將共同探討“紫外LED+”新機遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議在湖北恩施華龍城大酒店圓滿落幕。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領軍企業(yè)亮相本屆大會，現(xiàn)場設展向與會嘉賓匯報展示了面向紫外光電器件、功率電子器件、微波...
第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議于今日在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領軍企業(yè)亮相本屆大會，向與會嘉賓匯報展示面向紫外光電器件、功率電子器件、微波射頻器件等應用...
2024年7月7-10日，由中國科學技術(shù)大學主辦的第十八屆全國MOCVD學術(shù)會議將在湖北恩施華龍城大酒店隆重舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸超寬禁帶半導體AlN單晶襯底全套制程能力和小批量制造能力的領軍企業(yè)，受組委會邀請將出席本次會議并發(fā)表主...
6月25-26日，“十四五”國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項2024年度第三代半導體材料與器件技術(shù)方向19個項目中期檢查會議在杭州光學精密機械研究所召開。奧趨光電作為“AlN單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)”項目（編號2022YFB3605300，項目負責人北京...
超寬帶隙氮化鋁（AlN）作為高功率電子器件的高吸引力材料脫穎而出。然而，AlN功率器件由于接觸電阻率超過10-1 Ω cm2而面臨性能挑戰(zhàn)。在本工作中，我們展示了通過直接應用于n型AlN的精細金屬化工藝，實現(xiàn)了10-4 Ω cm2級別的低接觸電阻率。最小的接觸電阻率達到5.82 ...
GaN的寬帶隙特性和高飽和速度對于提升射頻（RF）晶體管的輸出功率密度（Pout）至關(guān)重要，這使得雷達和通信系統(tǒng)的覆蓋范圍得以增加。然而，目前GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）的輸出功率密度進一步提高受到熱限制，主要因為在器件溝道層運行時產(chǎn)生過多無效的熱量。
使用這些晶圓制備的首批晶體管已經(jīng)顯示出極具前景的電氣性能，例如高達2200 V的擊穿電壓和優(yōu)于SiC基/GaN基的功率開關(guān)器件的功率密度。與現(xiàn)有的硅器件相比，在AlN晶圓上成功制備出的AlN/GaN HEMTs，其傳導損耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶體管大約高出十倍。這些研究突...
為了提高量子阱高電子遷移率晶體管（QW HEMTs）中的電子遷移率，我們研究了在Al極性單晶AlN襯底上的AlN/GaN/AlN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的輸運特性。理論建模與實驗相結(jié)合表明，量子阱中高電場引起的界面粗糙度散射限制了遷移率。將量子阱寬度增加到其松弛形態(tài)可以減小內(nèi)部電場和散射，從而...
本文展示了采用等離子輔助分子束外延（PAMBE）技術(shù)實現(xiàn)了N極性AlN單晶襯底上同質(zhì)外延生長AlN薄膜中的可控Si摻雜。通過優(yōu)化生長條件，我們在950℃下獲得了高質(zhì)量的N極性AlN薄膜。然而，我們的研究揭示，在這樣的高溫生長環(huán)境下，Si的摻入量會顯著降低。為了實現(xiàn)更高的Si摻入量...
在過去的十年中，半導體領域最大的新聞之一就是傳統(tǒng)硅的意外被超越——在電力電子領域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已經(jīng)超越了硅，占據(jù)了數(shù)十億美元的市場份額。隨著這些具有優(yōu)越性能的新秀逐漸占據(jù)主要應用領域，人們自然會提出一個問題：下一代新的功率半導體會是什么——哪一種半導體將憑借...
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