行業(yè)新聞
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行業(yè) | 康奈爾大學(xué)在單晶AlN襯底上實(shí)現HEMT器件創(chuàng )紀錄高電子遷移率和低片電阻
為了提高量子阱高電子遷移率晶體管（QW HEMTs）中的電子遷移率，我們研究了在A(yíng)l極性單晶AlN襯底上的AlN/GaN/AlN異質(zhì)結構中的輸運特性。理論建模與實(shí)驗相結合表明，量子阱中高電場(chǎng)引起的界面...
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行業(yè) | 密歇根大學(xué)/加州大學(xué)采用等離子輔助MBE實(shí)現N極性AlN中可控Si摻雜
本文展示了采用等離子輔助分子束外延（PAMBE）技術(shù)實(shí)現了N極性AlN單晶襯底上同質(zhì)外延生長(cháng)AlN薄膜中的可控Si摻雜。通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)條件，我們在950℃下獲得了高質(zhì)量的N極性AlN薄膜。然而，我們的研...
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行業(yè) | SiC/GaN的強勁對手 — 新一代AlN基晶體管
在過(guò)去的十年中，半導體領(lǐng)域最大的新聞之一就是傳統硅的意外被超越——在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已經(jīng)超越了硅，占據了數十億美元的市場(chǎng)份額。隨著(zhù)這些具有優(yōu)越性能的新秀逐漸占據主要應用...
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行業(yè) | 美國Crystal IS 4英寸單晶AlN襯底榮獲2024年年度半導體電子最高材料獎
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功實(shí)現了直徑為100 mm的單晶氮化鋁（AlN）襯底的批量生產(chǎn)，這些襯底的可用面積達到99%，以滿(mǎn)足當前UVC LED的需求，生產(chǎn)將在美國進(jìn)行。AlN的...
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行業(yè) | 德國在單晶AlN襯底上實(shí)現耐壓2200 V、功率密度達1.17 GW/cm2的AlN基GaN溝道HEMT器件
我們在A(yíng)lN襯底上，采用MOCVD生長(cháng)的AlGaN/GaN/AlN外延層實(shí)現了基于A(yíng)lN的GaN溝道HEMT，在VGS = 1 V時(shí)，實(shí)現了400 mA/mm的電流密度和125 V/μm的擊穿電壓（V...
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行業(yè) | N極性AlN單晶襯底上AlGaN/AlN異質(zhì)結極化誘導二維電子氣（2DEGs）研究
極化誘導載流子在實(shí)現超寬帶隙半導體AlGaN的高電導率方面起著(zhù)重要作用，這對于從射頻和功率電子到深紫外光電器件的各種應用至關(guān)重要。盡管具有重要的科學(xué)和技術(shù)意義，但在N極性AlGaN中關(guān)于極化誘導載流子...
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行業(yè) | 康乃爾大學(xué)和日本化工巨頭旭化成首次在N極性單晶AlN襯底上實(shí)現GaN/AlGaN/AlN 高電子遷移率晶體管(HEMT)
氮化鎵的寬帶隙和高電子速度使其在商業(yè)和國防毫米波應用中極具吸引力。如今，氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMTs）能夠在毫米波頻率下提供高功率，從而抵消這些頻率下高大氣衰減的影響。然而，基于GaN...
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行業(yè) | 美國基于A(yíng)lN單晶實(shí)現創(chuàng )紀錄擊穿場(chǎng)強（~11.5 MV/cm）的高電子遷移率晶體管
具有1.3 μm間距的兩端臺面擊穿特性顯示出未摻雜Al0.6Ga0.4N溝道層的創(chuàng )紀錄的高擊穿場(chǎng)強約為11.5 MV/cm。對于柵漏距離為4 μm和9 μm的三端器件，測量的擊穿電壓分別為850 V和...
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行業(yè) | 南卡羅來(lái)納大學(xué)基于A(yíng)lN單晶襯底實(shí)現Al0.64Ga0.36N溝道型MOSHFET器件創(chuàng )記錄BFOM優(yōu)值
我們在A(yíng)lN單晶襯底上采用MOCVD工藝實(shí)現了Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質(zhì)結場(chǎng)效應晶體管（MOSHFET）。與AlN模板上的器件相比，AlN單晶上器件的熱...
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行業(yè) | 清華大學(xué)曹炳陽(yáng)教授團隊提出三傳感器2ω新方法實(shí)現AlN單晶襯底熱導率測試
各向異性熱傳輸在熱傳導理論和工程實(shí)踐中起著(zhù)關(guān)鍵作用，而準確測量固體材料的各向異性熱導率是一個(gè)重大挑戰?，F有的實(shí)驗技術(shù)包括光學(xué)方法和電學(xué)方法，但它們存在局限性，如對表面結構熱物理性質(zhì)的敏感性和依賴(lài)于多變...
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