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                行業(yè) | 德國研究集群宣布AlN技術(shù)取得重大突破
                
        
                
          
                 2024-08-05 管理員
                
          
        
                
        
                
                
                
          使用這些晶圓制備的首批晶體管已經(jīng)顯示出極具前景的電氣性能，例如高達(dá)2200 V的擊穿電壓和優(yōu)于SiC基/GaN基的功率開關(guān)器件的功率密度。與現(xiàn)有的硅器件相比，在AlN晶圓上成功制備出的AlN/GaN HEMTs，其傳導(dǎo)損耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶體管大約高出十倍。這些研究突破得到了德國聯(lián)邦教育和研究部（BMBF）在ForMikro-LeitBAN和Nitrides-4-6G項(xiàng)目中的資金支持。


        
                
        
                
                
                
          
                

                 
                

                原文標(biāo)題
                German research cluster announces AlN success
                

                 
                

                原文鏈接
                

                https://compoundsemiconductor.net/article/119851/German_research_cluster_announces_AlN_success Compound Semiconductor (化合物半導(dǎo)體雜志), Wednesday 24th July 2024
                

                 
                

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                德國合作伙伴展示了AlN基功率半導(dǎo)體價(jià)值鏈的實(shí)際應(yīng)用
                

                 
                

                 
                

                根據(jù)德國研究合作伙伴的消息，一種基于AlN的新型半導(dǎo)體技術(shù)，用于功率電子晶體管以及毫米波射頻電路，有望顯著降低電能轉(zhuǎn)換和高頻傳輸損耗。單晶AlN基晶圓上的器件與GaN技術(shù)相比，具有更高的功率密度和效率。它們還表現(xiàn)出更低的動(dòng)態(tài)寄生效應(yīng)和更高的可靠性。同時(shí)，AlN的高熱導(dǎo)率使得器件具有更好的散熱性能。
                

                 
                

                為了在中期內(nèi)使AlN技術(shù)為行業(yè)所應(yīng)用，德國AlN相關(guān)的研究活動(dòng)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)被整合成一個(gè)戰(zhàn)略集群，目標(biāo)是建立一個(gè)基于AlN技術(shù)的德國價(jià)值鏈，并在這個(gè)日益重要的經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域樹立國際領(lǐng)導(dǎo)地位。費(fèi)迪南德·布朗研究所（FBH）、弗勞恩霍夫集成系統(tǒng)和設(shè)備技術(shù)研究所（IISB）以及III/V-Reclaim PT GmbH公司共同推動(dòng)這一倡議。他們涵蓋了整個(gè)價(jià)值鏈，從使用物理氣相傳輸（PVT）工藝生長AlN晶體開始，到AlN晶圓的切片和拋光，以及功能器件層的外延生長，直至制造用于電力電子和毫米波應(yīng)用的晶體管?，F(xiàn)在，該聯(lián)盟首次成功地在德國和歐洲演示了AlN基器件價(jià)值鏈的實(shí)際應(yīng)用。
                

                 
                

                為此，在Fraunhofer IISB生長了AlN晶體，并將其切割成直徑高達(dá)1.5英寸的AlN晶圓。III/V-Reclaim公司開發(fā)了用于外延晶圓生產(chǎn)的拋光工藝。然后在Ferdinand-Braun-Institut將這些晶圓上外延生長器件功能性，并成功地在上面制備出了AlN/GaN HEMTs。
                

                 
                

                使用這些晶圓制備的首批晶體管已經(jīng)顯示出極具前景的電氣性能，例如高達(dá)2200 V的擊穿電壓和優(yōu)于SiC基/GaN基的功率開關(guān)器件的功率密度。與現(xiàn)有的硅器件相比，在AlN晶圓上成功制備出的AlN/GaN HEMTs，其傳導(dǎo)損耗比硅低三千倍，效率比SiC基晶體管大約高出十倍。這些研究突破得到了德國聯(lián)邦教育和研究部（BMBF）在ForMikro-LeitBAN和Nitrides-4-6G項(xiàng)目中的資金支持。
                

                 
                

                

                 
                

                 
                

                 
                

                原文源于【COMPOUND Semiconductor】
                

                

                （以上文章由奧趨光電翻譯，如有涉及版權(quán)等問題，請(qǐng)聯(lián)系我們以便處理）
                

                

                 
                

                

                

                

                

                

                

                

                

                 
                

                

                

                

                

                

                

                

                

                

                
        
                
        
                
                
                
          
                
            
                
              
            
                
            
                
              
            
                
          
                
          
                
        
                
        
                
        
                
          
        
                
      
                
    
                
    
                

                

      
  
  
  
  
                
    
  
                





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