突破性研制成功全球最大直徑的60mm 氮化鋁單晶及單晶樣片
應諾貝爾物理獎獲得者天野浩教授為會議主席的組委會邀請，奧趨光電技術(shù)( 杭州) 有限公司在日本橫濱4月23-25 日舉行的LED 工業(yè)應用國際會議( LEDIA-2019) 上，推出了直徑60 mm 氮化鋁單晶及晶圓，該晶圓為迄今為止國內(nèi)外見諸報道的最大尺寸氮化鋁晶圓。檢測結(jié)果表明，晶片的拉曼半高寬僅為2.85cm-1，深紫外260-280 nm 波段下的吸收系數(shù)低至14-21 cm-1，關(guān)鍵性能指標居全球領(lǐng)先水平。相關(guān)成果發(fā)表在權(quán)威學術(shù)期刊《Physica Status Solidi A》上，并作為該期刊封面進行了特別展示。該成果標志著中國在第三/四代半導體關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料氮化鋁單晶領(lǐng)域取得突破性進展，在此之前，美國在全球氮化鋁單晶及晶圓制造方面直徑最大可達2英寸（50.8 mm），長期處于技術(shù)壟斷地位。
氮化鋁是第三代/四代半導體材料的典型代表，憑借其在高溫、高壓、高頻等條件下的優(yōu)異性能，成為當今最受關(guān)注的新型半導體材料之一，也是囯家需重點突破的關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料。氮化鋁晶圓是高功率、高頻電子器件及紫外探測器、紫外激光和深紫外LED 等光電子器件最優(yōu)秀的襯底材料，在國防、航空航天、保密通信/無線通信、芯片制造、環(huán)保、生物醫(yī)療等尖端科技領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。由于氮化鋁單晶生長裝備及生長工藝具有極高的技術(shù)壁壘及其在軍事、航空航天等領(lǐng)域的應用價值，歐美等國對各尺寸的氮化鋁晶圓襯底全部對中國實施禁運。奧趨光電這一重大進展為我國在該領(lǐng)域的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎。
近50 年來，世界各國為研發(fā)大尺寸氮化鋁單晶作出了長期不懈努力，但進展緩慢。奧趨光電是由知名海外留學歸國團隊領(lǐng)銜創(chuàng)立的我國高科技創(chuàng)新型企業(yè)，專注于第三代超寬禁帶半導體氮化鋁單晶生長高端裝備、氮化鋁晶圓襯底材料及其相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)。數(shù)年來，奧趨光電投入大量研發(fā)人員及資金，成功開發(fā)出具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)的全球首臺4 英寸氮化鋁單晶生長全自動化裝備及系列技術(shù)水平領(lǐng)先的獨有專利技術(shù)，生長出直徑60 mm 氮化鋁單晶，并開發(fā)出全套晶圓制程工藝，共申請國際國內(nèi)專利近30 份，成為全球極少數(shù)掌握大尺寸、高質(zhì)量第三代/第四代超寬禁帶半導體氮化鋁晶圓襯底材料的高新技術(shù)企業(yè)。