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                物理氣相沉積法生長AlN單晶模擬仿真技術(shù)開發(fā)
                

                 
                

                      通常，PVT法生長氮化鋁單晶生長溫度高達2000ºC - 2300ºC，且晶體生長在密閉環(huán)境下進行，單晶生長周期長、對溫度場的穩(wěn)定性及其控制系統(tǒng)精度提出了前所未有的挑戰(zhàn)。由于氮化鋁單晶生長溫度高、生長條件非?？量蹋ㄟ^實際實驗來調(diào)整工藝參數(shù)獲取有限的實驗數(shù)據(jù)極其困難且成本高昂，或具備不具備可行性。因此，利用數(shù)值模擬仿真手段，開展AlN晶體生長過程的仿真研究已成為分析、優(yōu)化晶體生長過程不可或缺的工具。
                

                 
                

                

                 
                

                      由于目前全球無成熟、商業(yè)化的氮化鋁PVT單晶生長模擬仿真軟件，因此，奧趨光電組織研發(fā)團隊并投入大量研發(fā)資金及研發(fā)人員，自主開發(fā)了先進的氮化鋁PVT單晶生長工藝過程的有限元多項流傳質(zhì)模塊、雜質(zhì)分布預(yù)測模塊、三維各向異性應(yīng)力等缺陷計算分析等一系列模擬仿真計算模塊，成為公司設(shè)備研發(fā)、熱場設(shè)計及工藝研發(fā)利器，極大的縮短了產(chǎn)品研發(fā)周期、提升了內(nèi)部研發(fā)效率及新產(chǎn)品面市周期。
                

                 
                

                

      
    
                
    
  
                

                

      
  
  
  
  
                
    
  
                





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